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上海德懿电子科技有限公司
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产品信息
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
商标: NXP Semiconductors
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Id-连续漏极电流: 2.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 165 mOhms
配置: Single Quad Drain Triple Source
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
下降时间: 25 ns
工作温度: - 55 C
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 50 ns
零件号别名: /T3 PSMN165-200K