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上海德懿电子科技有限公司
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产品分类
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产品信息
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 2.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 117 mOhms
配置: Single
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-236AB
封装: Reel
下降时间: 7.5 ns
工作温度: - 65 C
功率耗散: 830 mW
上升时间: 7.5 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 18 ns
零件号别名: PMV117EN T/R
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 2.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 117 mOhms
配置: Single
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-236AB
封装: Reel
下降时间: 7.5 ns
工作温度: - 65 C
功率耗散: 830 mW
上升时间: 7.5 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 18 ns
零件号别名: PMV117EN T/R